前英特尔首席执行官帕特·基辛格再度对高带宽内存（HBM）技术提出尖锐批评。在近日接受a16Z专访时，他将HBM称为"糟糕的内存"，直言"这只是我们目前能实现的最佳方案，但它真的太差劲了"。这一表态延续了基辛格此前对HBM架构的质疑立场。

基辛格从多个维度阐述了HBM的技术局限。他指出，HBM的位密度非常低，同时带宽受到明显限制，功耗与散热问题同样令人头疼。他强调，DRAM内存本身不喜欢高温环境，而HBM将所有数据集中在一个地方的布局方式，对于人工智能这类内存计算密集型工作负载而言"简直是灾难性的"。

在技术细节层面，基辛格特别提到了"海岸线带宽"（Shoreline Bandwidth）的制约。这一概念指计算芯片边缘可用于连接HBM的物理周长资源。由于HBM接口需要占用芯片边缘大量面积，可布置的内存堆叠数量因此受到限制，从而形成带宽扩展的瓶颈。散热方面，HBM3/3E的总线宽度为1024位，HBM4将提升至2048位，这需要大量并行连接与微凸点。韩国科学技术院的分析显示，当HBM功耗超过约30瓦时，GPU或ASIC与HBM堆栈之间的物理层接口将面临严峻挑战。

基辛格的此番言论正值HBM成为AI芯片竞争焦点的关键时期。作为AI加速器的核心组件，HBM的性能表现直接关系到大规模模型训练与推理的效率。然而，基辛格所揭示的位密度、散热与带宽扩展等结构性问题，也为当前HBM技术路线的前景增添了值得关注的讨论维度。