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SK海力士高管预测:2030年AI基础设施性能规模将扩至当前20倍

摘要

SK海力士开发总管安炫在韩国半导体大展上预测,到2030年AI基础设施性能规模将增长约20倍。他指出AI推理市场在任务复杂度、上下文长度和请求量三方面同步扩张,KV缓存膨胀导致数据迁移成为新瓶颈,行业需从单一芯片性能转向存储层次结构全局优化。

在首尔江南区COEX举办的“第28届韩国半导体大展”(SEDEX 2026)上,SK海力士开发总管安炫发表主旨演讲,对AI基础设施的未来规模作出判断:到2030年,其性能规模将较当前增长约20倍。这一预测基于他对AI推理市场正在经历的三个同步扩张维度的观察。

安炫指出,当前AI推理市场正同时在任务复杂度的提升、单次处理信息量(上下文长度)的激增,以及推理请求量的井喷三个方向上快速扩张。这些因素相互交织,共同推动了AI算力基础设施需求的迅猛增长。随着推理需求暴增,承担海量数据存储与迁移任务的存储器,其关键地位愈发凸显。

一个具体的技术挑战是,用于保存并复用前序处理信息的“键值缓存(KV Cache)”容量持续膨胀,迫使系统必须将数据分摊存储于高带宽内存HBM、DRAM以及SSD等不同介质中。分析表明,在此过程中产生的数据迁移,正演变为制约性能提升并推高系统能耗的全新瓶颈。

面对这一趋势,安炫强调,行业不能仅停留在提升单一存储芯片的性能上,而亟需采取优化整个存储层次结构的全局方案。为此,SK海力士在持续优化现有HBM性能的同时,正全力推进3D堆叠DRAM以及高带宽闪存HBF等下一代存储技术的研发。其中,3D堆叠DRAM通过在GPU、NPU等逻辑芯片之上直接堆叠DRAM,旨在大幅跃升数据传输效率。

SK海力士AI基础设施HBM存储技术
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