美光在当地时间10月21日举行的2026年度技术网络研讨会上，对DRAM、泛HBM、NAND与SSD产品线作出展望。在闪存部分，该公司首次披露了G11 NAND的规划，并确认将跳过G10世代，直接由G9迈向G11。

按照美光的说法，G11 NAND的堆叠层数将超过400层，并引入晶圆对晶圆键合技术。以单位面积计算的存储密度约为当前276层G9 NAND的两倍，同时可实现最高1.5倍的I/O速率，数据传输能耗降幅在25%以上。该产品预计于2027年下半年进入产能爬坡阶段。

在G11之后，美光计划在NAND中导入高迁移率材料，构建更为密集的单元架构，并进一步强化能效表现。这一路线图显示，美光正试图通过材料与键合工艺的协同推进，延续NAND密度与功耗的优化节奏。

面向AI数据中心场景，美光还介绍了两类AI-class NAND设计：一类基于SLC，针对GPU直连场景优化IOPS；另一类则参照HBF（高带宽闪存）的定义，侧重带宽表现。此外，该公司展示了覆盖多场景的AI优化存储解决方案组合。

对AI基础设施从业者而言，G11的密度与能效指标关系到未来数据中心存储层的成本与功耗结构，而其2027下半年的量产时点，也将影响下一代AI服务器存储方案的选型节奏。