美光于当地时间10月21日举行2026年度技术网络研讨会，对DRAM、泛HBM、NAND与SSD等产品线作出展望。其中，堆叠集成的泛HBM内存成为讨论重点之一，美光方面给出了两种新型3DS内存的落地时间表。

按照美光的预计，标准HBM5将于2028年面世，而同年还将迎来vHBM和vEIM两款新型3DS内存产品。vHBM可被理解为3D集成版本的HBM，其做法是将DRAM Die、Base Die与XPU逻辑主芯片进行垂直堆叠，从而进一步缩短数据通信路径，提升带宽效率并降低能耗。美光同时指出，vHBM能够与标准2.5D HBM共存使用。

vEIM在结构上与vHBM相近，但设计目标指向端侧AI推理场景。美光透露，初代vEIM产品计划实现2TB/s带宽以及低于1pj/bit的能效水平。这一指标组合显示出该产品对边缘侧推理负载在带宽与功耗之间的平衡诉求。

在实现路径上，美光计划为vHBM和vEIM应用无凸块的混合键合技术，并导入集成散热解决方案。这两项工艺选择与其垂直堆叠的封装思路相配套，也反映出3DS内存产品在互连密度与热管理方面面临的技术要求。