10月14日，铭芯启睿（MemSilicon）对外披露，其基于1TnR技术路线的首代高密度、大容量RRAM芯片“泰山一号（MountTai 2026）”已完成流片，当前处于芯片验证阶段。该消息由界面新闻报道。

从技术参数看，泰山一号基于28nm CMOS工艺平台制造，存储单元采用1T4R结构，即一个选择晶体管连接四个阻变存储单元，以此提升存储密度。芯片单颗容量达到1Gb，存储密度为30Mb/mm²，访问延时控制在20ns以内，同时集成了片上硬件纠错电路。该技术路线利用与CMOS平台完全兼容的后道集成方式，在密度、容量和成本之间寻求协同。

铭芯启睿方面表示，泰山一号在大容量、高密度与高速读取之间实现了协同突破，可为片上高密度大容量新型非易失存储应用提供具备国际竞争力的解决方案。

公开信息显示，铭芯启睿成立于2024年5月，聚焦以先进工艺节点阻变存储器为基础，结合存算融合及先进封装技术，试图解决“内存墙”瓶颈，面向服务消费、工业与数据中心领域提供AI高性能“感-存-算”一体化解决方案及定制化存储IP/芯片产品。公司联合创始人、董事长为刘琦教授。

融资方面，铭芯启睿已于2025年完成近亿元天使轮融资，2026年1月完成超亿元Pre-A轮融资，由国开科创、联想创投领投，中芯聚源、顺禧基金、恒裕投资跟投，老股东中科创星、小米战投持续加码。目前，公司已与多家上下游企业展开合作。