据路透社援引知情人士消息，三星电子与SK海力士正在推进中国工厂的产线升级，目标是在华生产200层以上的NAND闪存芯片。这一动作发生在两家韩国半导体巨头长期受制于美国出口管制的背景之下。

美国自2022年起对部分芯片制造设备实施出口限制，三星电子和SK海力士每年须向美方申请许可证，才能在中国工厂安装刻蚀设备等美国产设备。美国商务部工业与安全局去年曾表示，无意批准这些外国芯片制造商升级中国工厂的技术。监管限制削弱了两家公司的扩产能力，也使其部分市场份额流向长江存储。

具体规划方面，知情人士称三星电子计划将西安工厂改造为生产286层V9 NAND闪存的产线，目标今年12月实现每月5000片晶圆产量，并在2027年12月将月产量提升至4万片。SK海力士则计划把大连工厂的NAND产线从目前的192层产品升级为240层以上产品，该公司表示一直在与美国政府协商，计划在大连工厂安装设备。

两家公司均对升级工作作出回应。三星电子称正推进相关升级，并与美国政府保持密切沟通。在出口许可仍存不确定性的情况下，其在华产线能否按计划落地，将直接影响两家公司在中国NAND市场的竞争位置。