美光在当地时间10月21日举行的2026年度技术网络研讨会上，对DRAM、泛HBM、NAND与SSD产品线作出展望，其中基础DRAM技术成为讨论重点。公司给出的判断是：经过二十多年的技术探索，4F² DRAM在复杂度与成本两方面均存在不足，未找到可行的规模化路径。

这一结论出现在传统2D 6F² DRAM尺寸收缩遭遇瓶颈的背景下。美光由此将3D DRAM确立为后续发展方向。行业内其他厂商的动向亦被提及：长鑫存储此前表示计划年内推出4F²混合键合DDR5 RDIMM，另有消息称三星电子已在首代亚10nm级DRAM上放弃4F²路线。

在具体节点规划上，美光第7代10nm级DRAM节点1δ已进入良率爬坡阶段；第8代10nm级节点1ε将引入晶圆键合技术；第1代亚10nm级节点ζÅ处于早期开发阶段，导入High NA EUV光刻；第2代亚10nm级节点ηÅ则正在寻路，计划应用新材料。

美光表示，1δ工艺可带来约25%的代际存储密度提升，同时具备优化的成本结构，该技术将广泛用于HBM5、vHBM、vEIM、LPDDR、DDR等产品。此外，公司称DRAM的CMOS逻辑电路也将实现3D化，从而带来显著的性能改进。