AI芯片功耗持续攀升，散热正成为先进封装环节的关键制约因素。湖南泰坦未来科技有限公司本月对外宣布，已推出国内首款12英寸多晶碳化硅衬底，将应用方向锁定在AI芯片与先进封装的高导热支撑与散热基底场景。所谓12英寸多晶碳化硅衬底，即直径约300毫米、由众多微小碳化硅晶粒构成的大尺寸陶瓷基板，其作用是把高功率器件产生的热量快速导出。

与市场关注度更高的单晶碳化硅衬底不同，多晶碳化硅配套材料长期处于被忽视的位置。泰坦未来在新闻稿中指出，这一领域属于行业蓝海与隐形刚需，而高端多晶材料长期受制于人，已成为制约国内产线扩产的关键痛点。大尺寸致密化、高纯度制备与热性能匹配，是必须跨过的核心技术门槛。

据披露，该产品由团队历时两年多完成全流程原创攻关，期间损耗两台气相沉积炉，并逐一解决材料致密化、大尺寸成型与应力调控等难题。性能指标上，其沉积速度达到每小时60微米，高于国内外同行10至20微米的水平；最低电阻率可小于1毫欧·厘米，优于国外同行约10毫欧·厘米的水平；孔洞缺陷少于每平方厘米0.1个，有助于提升芯片良率。

在商业化进展方面，该衬底已通过台积电相关认证测试，并向三星送样，同时与谷歌、英伟达等企业展开合作。项目目前处于样品验证向小批量试产过渡的阶段，预计2027年后逐步实现规模化供货。