市场调查机构集邦咨询（TrendForce）最新预估显示，2026年第四季度DRAM合约价格将环比上涨约20%。这一涨幅虽较第二季度的约80%和第三季度的约40%明显收窄，但DRAM市场整体仍处于价格高位，供应紧张与需求强劲并存的格局尚未改变。

涨价的核心动力来自人工智能推理需求的持续扩张。更大规模的模型、更长的上下文窗口以及不断增长的KV缓存需求，共同推高了服务器DRAM和企业级SSD在容量与带宽两端的消耗。与此同时，主要存储器厂商将产能优先配置给HBM等高端产品，传统DRAM的供给空间被进一步压缩。

涨势放缓同样有其现实背景。前期价格基数已处于较高水平，终端市场购买力有所减弱，部分长期采购协议中的价格上限也正逐步生效，对价格进一步快速上行形成约束。

HBM供应吃紧的连锁反应已经显现。据报道，英伟达正考虑将Rubin Ultra的HBM堆叠层数从12层降至8层。若其他条件不变，单颗GPU的HBM容量将减少约33%，但同等DRAM芯片供应理论上可支持多50%的GPU出货。不过，由于8层HBM的基础裸片成本占比更高，2027年其每Gb成本预计反而比12层高出10%至20%。