三星电子会长李在镕于11月1日到访日本横滨的先进封装研究中心（APL），实地了解下一代半导体封装材料及工艺的研发进展。此行中，他与当地研究人员就深化同日本半导体材料、零部件及设备企业的合作进行了交流。

按照规划，三星电子将从2024年起在五年内投入400亿日元（约合16.93亿元人民币），把横滨APL建设为面向全球的先进封装研发中心，并力争到2027年将当地研发团队扩充至100人以上。研究范围也将在现有基础上延伸至晶圆键合、玻璃基板等下一代封装技术。

横滨APL此前已于当地时间9月8日举行开业仪式，企业与政府代表到场出席。该设施总建筑面积约6600平方米，配备半导体级无尘室。横滨地处东京都市圈，同时也是Resonac（力森诺科）与DISCO（迪思科）总部所在地，周边聚集了多家半导体封装产业链重点企业。

李在镕此次考察延续了三星在先进封装领域的布局节奏。在封装技术日益成为半导体性能竞争关键环节的背景下，三星通过加码横滨研发基地并靠近日本材料与设备供应体系，意在强化其在下一代封装工艺上的技术储备与产业协同。