三星晶圆代工部门正在为其8纳米工艺寻找新的生命周期。根据三星提交给IEDM 2026的技术摘要，该部门将推出第二代8LPU+平台，作为现有8LPU工艺的延续与升级，相关技术细节预计在12月中旬的会议上正式公开。

从纸面参数看，8LPU+相较上一代8LPU实现了三项同步改进：性能提升12%，功耗降低15%，芯片面积缩小8%。与此同时，新平台引入ULL-SRAM与cHVT器件，以压低待机漏电，这对需要长时间低功耗运行的终端设备尤为关键。

值得关注的是，8LPU+明确走“无EUV”路线，继续依托现有DUV产线生产。在先进制程普遍依赖极紫外光刻的背景下，这一选择让三星得以规避高昂的EUV设备投入，在成熟制程上换取更低的成本与更快的量产节奏。

在应用层面，该平台主要面向边缘AI、机器人和汽车芯片。三星称，8LPU+集成原生3.3V平面I/O器件，可额外减少约10%的I/O面积；其汽车级1级（AG1）eMRAM位单元面积约为0.017平方微米，相当于每平方毫米约20Mb存储容量。按计划，三星将于太平洋标准时间12月14日下午4:20至4:45（北京时间12月15日上午8:20至8:45）在IEDM 2026活动上发表演讲。