三星电子在当地时间10月29日召开的2026Q3财报电话会议上，对其存储业务的中长期供需格局给出了明确判断。公司高管表示，2027年的HBM产能已按照既定目标价格全部售出，同时预计2028年整体DRAM内存供应仍将处于紧张状态。这一表态意味着，面向AI算力的高带宽内存紧俏局面短期内难以缓解。

从当季经营数据看，三星电子2026Q3的DRAM与NAND出货容量均录得个位数百分点增长，平均售价则分别提升20%和近10%。公司进一步预计，2026Q4 DRAM出货容量将增长15~20%，NAND增幅约为15%。尽管存储半导体市场整体仍供大于求，但高管特别提到，公司已收到大量QLC需求。

在长约锁定方面，三星存储器业务已与10家客户签署长期协议（LTA），并正与另外10家就多年期合同展开洽谈。随着对这一协议形式感兴趣的客户从原有领域扩展至移动、汽车和网络，三星正稳步推进通过多年期合同锁定60~70%产出的计划。客户对滚动续签的需求远超预期，部分客户还希望在协议期内追加供应。

HBM业务进展方面，三星电子已提前实现细分市占率与整体DRAM市占率齐平的目标。其HBM4销售额在Q3环比增长超过3倍，已占HBM总营收的60%。此外，三星晶圆代工计划加大对韩国与美国晶圆厂的投资，希望同步建设先进封装产能，并正就包括建设更多晶圆厂在内的扩展计划进行评估，该业务预计8nm以下节点的产能利用率将突破100%。