英特尔CTO:与台积电制程差距缩至个位数百分点,产能追赶仍需时日
英特尔首席技术官拉纳德在访谈中表示,从制程技术看英特尔与台积电差距已缩小至几个百分点,但制造规模追赶仍是缓慢过程。他同时指出,受EUV光刻机等设备供应限制,先进制程晶圆产量翻倍比增长十倍更现实。
英特尔首席技术官普什卡尔·拉纳德(Pushkar Ranade)近日在接受 Dwarkesh Patel 采访时,对英特尔与台积电之间的竞争态势给出了最新判断。据其表述,若单从制程技术维度衡量,两家公司的差距已收窄至几个百分点,但英特尔要追平台积电的制造规模,仍将经历一个缓慢的过程。该采访视频于当地时间 10 月 22 日发布。
拉纳德强调,相较于在性能或芯片面积密度上争取小幅领先,按计划推进制程节点、提升良率并快速扩大产能,对英特尔而言更为关键。他指出,台积电当前的晶圆制造规模明显大于英特尔,双方较量不限于技术指标,还取决于能否稳定量产大量先进芯片。在他看来,当制程技术落后一整代时差距十分明显;而当双方水平接近时,制造执行能力、良率与产能爬坡速度的分量就会上升。
即便性能或面积密度存在几个百分点的差距,拉纳德认为,只要能够按时推进工艺并维持较高良率,仍有机会在竞争中取得进展。他同时提醒,先进制程的竞争不能仅凭单项基准测试结果下结论,性能、功耗和面积密度等指标的综合表现才更具参考意义。
在产能扩张方面,拉纳德也谈到了现实约束。他表示,即使英特尔有意大幅提升先进制程晶圆产量,全球半导体制造设备的供应能力也难以支撑十倍量级的增长,在现有条件下产量翻倍更具可行性。其中,EUV 光刻设备是主要瓶颈之一,其他制造设备同样面临供应紧张的局面。
拉纳德的表态勾勒出英特尔的双线挑战:技术差距虽已收窄,但规模与产能的补齐受制于设备供应链,短期内难以速成。对关注先进制程格局的从业者而言,制造执行力与设备可得性正成为比单项技术指标更值得跟踪的变量。