韩国 AI 半导体初创企业 FuriosaAI 近日公开了其第三代 AI 推理加速器的技术规格。据韩媒 ZDNET Korea 当地时间 21 日报道，该产品由 FuriosaAI 与 Broadcom（博通）联合开发，定位为面向大规模 AI 推理场景的高性能芯片。

从硬件架构来看，这款加速器采用 2 颗“光罩极限级”2nm 计算裸晶搭配 1 颗独立 I/O 裸晶的设计，并集成 12 个 48GB HBM4 (E) 内存堆栈。互连方面，机架内使用 SUE 全连接拓扑，同时支持 PCIe Gen7 接口。FuriosaAI 表示，其物理尺寸约为第二代芯片 RGND 的 8 倍。

性能指标上，该加速器算力达到 32 PFLOPS，为 RGND 的 32 倍；HBM 内存容量提升至 576GB，是上一代的 12 倍；HBM 内存带宽则达到 48TB/s，同样为 RGND 的 32 倍。

作为对比，FuriosaAI 第二代芯片 RGND 的算力为 1 PFLOPS，HBM 容量 48GB。此次第三代产品在算力与带宽上的大幅跃升，反映出 AI 推理芯片正朝着更高内存吞吐和更大容量方向快速迭代。