9 月 14 日，芯片初创企业 Kepler Computing 正式对外亮相。该公司成立于 2018 年，总部未披露，其核心目标直指 AI 半导体领域长期存在的内存能耗、带宽、产能与成本瓶颈。

据 Kepler Computing 介绍，其内存方案采用 3D 堆叠集成技术，应属于 FeRAM（铁电存储器）范畴。该方案宣称可提供带宽接近 SRAM、容量优于 SRAM 乃至 HBM 的内存产品，同时无需依赖 EUV 光刻设备。这一特性若成立，将有助于降低对先进制程设备的依赖。

在落地节奏上，Kepler Computing 计划于 2026 年底出样，2027 年扩大产能。目前该公司正利用格罗方德新加坡工厂的 28nm 产能进行试产，未来也将在美国制造。公司还宣称，其改造既有晶圆厂用于创新内存生产的过程仅耗时 8 个月，约为一般情况的三分之一。

更长远来看，Kepler Computing 计划通过材料创新突破现有 CMOS（互补金属氧化物半导体）的固有限制，以更低电压改进芯片能效表现并提升生产能力。这一路径能否兑现，将取决于其 FeRAM 方案在试产中的实际表现。