英特尔于当地时间周一宣布，采用高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻设备处理的300mm晶圆数量累计突破一百万片。这一里程碑距离其首台High-NA EUV设备完成组装尚不足两年半时间，标志着该公司在新一代光刻技术商业化应用上取得了显著进展。

目前英特尔共配备两台ASML Twinscan EXE:5000原型机以及至少一台EXE:5200B量产机型。根据公开数据，2025年2月，英特尔使用High-NA EUV设备累计处理的晶圆约为3万片；而至2026年9月，这一数字已跃升至超过百万片，增速明显。

ASML在2026年4月第一季度财报中披露，当时全球所有High-NA EUV系统累计处理的晶圆总量已超过50万片，系统可用率超过80%。对比之下，英特尔一家的处理量已超越行业其他所有用户的总和，反映出其在先进制程推进上的激进策略和执行效率。

技术落地层面，英特尔已于今年早些时候通过Intel 18A工艺节点完成High-NA EUV的验证，该技术目前正用于生产Panther Lake系列酷睿Ultra处理器。今年7月，ASML确认英特尔成为全球首家实现High-NA EUV逻辑芯片大规模出货的企业，其Intel 18A部分工艺层已完成High-NA EUV双重认证，良率已达到现有NXE EUV平台水平。

不过，High-NA EUV技术当前仍受限于光罩（掩模版）尺寸带来的工艺约束。为突破这一瓶颈，英特尔正牵头推进相关技术研发，但具体方案细节尚未对外披露。业内分析认为，随着处理量持续攀升，High-NA EUV有望在下一代制程竞争中扮演更关键角色。