据韩国《先驱报》8月31日报道，SK海力士正在评估HBM基础裸片（Base Die）的多源供应策略，其中英特尔代工（Intel Foundry）被视为潜在候选，最早可能在HBM4E世代切入，从而改变台积电目前在该领域的独家供货格局。SK海力士随后回应称，无法确认与公司技术路线图相关的内容，并指出部分报道与事实存在出入。

基础裸片是HBM堆叠结构中的关键逻辑层，负责连接DRAM核心与外部控制器。从HBM1到HBM3E，该层一直沿用与存储单元相同的半导体工艺制造；但自HBM4起，由于电路复杂度与功耗性能面积（PPA）要求显著提升，SK海力士转向逻辑半导体工艺，并选定台积电12nm制程作为HBM4基础裸片的代工方案。

报道援引知情人士称，台积电对基础裸片的报价远高于SK海力士自产DRAM裸片的成本，这促使后者考虑引入第二供应商以增强谈判筹码。若英特尔代工成功进入供应链，不仅能缓解成本压力，也可能为HBM产能扩张提供更灵活的支撑。

不过，SK海力士的回应并未明确否认或证实具体合作细节，仅强调技术路线图信息不便对外披露。业内分析认为，HBM市场当前高度集中，SK海力士与台积电在先进封装和逻辑代工上的协作关系短期内仍难以被替代，但多源化趋势值得关注。

截至发稿，英特尔代工方面未对相关报道作出公开回应。HBM4预计将于2025年下半年进入量产，HBM4E的规格与供应链安排或将在后续季度财报中进一步明朗。