高带宽内存（HBM）在DRAM行业中的产能占比正快速攀升。三星电子一位高管最新表态称，明年HBM将占据各家DRAM芯片厂商全部晶圆产能的近30%，而这一比例目前约为20%。

这一判断来自三星电子执行副总裁金泰宇（Kim Taewoo）。他指出，HBM与普通DRAM之间存在晶圆产能的竞争关系。换言之，HBM产出规模的扩大，可能对标准DRAM的供给形成挤压。

HBM是AI算力体系中的关键元器件，通过将多层存储芯片垂直堆叠，使处理器能够以极高速度读取海量数据。目前该市场主要由韩国SK海力士、三星电子以及美国美光科技三家企业主导。

从20%到近30%的产能迁移，意味着DRAM厂商正在将更多资源向AI相关的高附加值产品倾斜。在需求结构变化的背景下，标准DRAM的供应格局或将随之调整。