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特斯拉AI加速器路线图更新:SI6算力达HW4的80倍,Dojo D3转向多芯粒与HBM

摘要

特斯拉公布更新后的AI加速器路线图:第六代推理加速器SI6算力预计达HW4的80倍,采用2nm级工艺与多芯片模块;训练芯片Dojo D3放弃SRAM核心架构,转向多芯粒设计并搭载堆叠式HBM。公司同时以“超级智能”(SI)取代“AI”命名其加速器系列。

特斯拉近日对外披露了更新版AI加速器路线图,进一步明确了未来数年芯片研发的演进方向。与以往不同的是,这份路线图同时调整了产品命名体系——特斯拉开始用“超级智能”(Super Intelligence,SI)取代“人工智能”(Artificial Intelligence,AI),旗下AI加速器由此统一归入SI系列。马斯克近期亦确认,出于相同考虑,SpaceXAI将更名为SpaceXSI。

从路线图披露的规划看,特斯拉推理芯片已形成清晰的代际序列。现有HW3/AI3采用三星14nm制程、单片式架构与LPDDR4内存,容量8GB;SI4/HW4则升级至三星7nm、单片式架构与GDDR6内存,容量16GB。后续的SI5/AI5将采用多芯片模块(MCM)架构,制程指向台积电3nm或三星2nm,内存为GDDR6或GDDR7(待定);而第六代推理加速器SI6/AI6同样采用MCM架构,制程为2nm级,内存规格为GDDR7(待定)。按路线图给出的预期,SI6的算力将达到现有第四代芯片的80倍。

训练侧的变化同样显著。现有Dojo D1基于台积电7nm制程与晶圆级系统(SoW)架构,以片上SRAM作为内存方案。而规划中的Dojo D3将不再沿用这一以SRAM为核心的思路,转而采用多芯粒设计,并搭载堆叠式HBM高带宽内存。封装层面,D1对应InFO_SoW训练计算单元与2.5D+3D方案,D3则指向多芯粒封装。

整体来看,特斯拉正把推理与训练两条芯片线同时推向更高集成度:推理侧从单片式过渡到多芯片模块,训练侧从晶圆级SRAM架构转向多芯粒加HBM的组合。这一路线若按计划落地,将直接影响其自动驾驶与AI训练负载的算力供给节奏,也为外界观察特斯拉自研芯片的长期投入提供了新的坐标。

特斯拉AI加速器Dojo芯片路线图
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