台积电否认涉足3D DRAM研发,重申专注逻辑芯片代工
摘要
针对外媒称台积电应英伟达要求研究3D DRAM一事,台积电发言人明确否认,强调公司始终专注专业集成电路代工核心业务。报道称该项目由负责先进封装的副总裁徐国晋监督,背景是全球内存供应紧张、价格持续上涨。
近日有外媒报道称,在人工智能硬件需求推动下,全球DRAM内存供应趋紧、价格上行,台积电可能应英伟达要求评估开发3D DRAM的可行性。若该计划推进,台积电将有机会切入内存领域,但同时也需承担内存市场周期性波动带来的经营风险,并进一步加深其在AI供应链中的参与度。
对此,台积电方面予以明确否认。公司一名发言人向Tom's Hardware表示,台积电始终聚焦核心业务,即专业集成电路代工,使命是长期作为全球逻辑集成电路产业值得信赖的技术与产能提供方。这一表态意味着台积电暂无意将业务延伸至DRAM制造环节。
尽管官方否认,The Information仍援引两名知情人士的说法称,在最大客户英伟达提出相关要求后,台积电已着手为3D DRAM制造业务制定规划,并由副总裁徐国晋负责监督。徐国晋主管先进封装业务,此前曾担任美光科技台湾地区业务负责人。
报道出台的背景是全球内存供应普遍短缺。内存正从普通商品逐步转变为战略性资源,甚至可能影响企业能否按期向客户交付产品。台积电虽与DRAM厂商保持紧密合作,并可为客户将内存封装进系统级封装(SiP)产品,但公司本身并不具备DRAM制造所需的技术与产能,3D DRAM更属其能力范围之外。
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信息来源:IT之家 IT之家原文 ↗