据《韩国经济日报》当地时间10月7日报道，三星电子存储器业务的12层堆叠HBM4E内存已于9月末通过英伟达及主要超大规模数据中心企业的质量验证测试。目前，各客户的供货量、合同规模以及出货时间均未最终确定。

针对上述报道，三星电子官方回应称“无法确认”其12层HBM4E产品是否已通过客户质量验证。这一表态并未直接证实或否认韩媒消息。

回顾产品进展，三星电子在今年5月实现了12Hi HBM4E产品的出样。该产品结合了1c nm DRAM Die与4nm Logic Die，单堆栈容量达到48GB，支持14~16Gbps引脚速率，并实现了16%的能效提升与14%的热阻改进。

若此次验证消息属实，意味着三星在HBM4E世代的高堆叠产品上向主要客户迈出了关键一步。不过，由于供货量、合同规模与出货时间尚未敲定，该产品对三星存储器业务的实际业绩贡献仍有待观察。