9月2日，华虹宏力半导体有限公司发布公告，宣布联合多家投资机构对无锡华虹宏力三期半导体有限公司进行增资，以推进一条新的12英寸特色工艺晶圆代工产线建设。该产线规划月产能约5.5万片，项目代号为Fab 9B，属于无锡基地三期扩建工程。

此次增资将标的公司注册资本由原先的668万元人民币大幅提升至41.7亿美元。其中，华虹方合计出资约21.267亿美元（按当前汇率约合143.26亿元人民币），持有51%股权。项目总投资额达到69.5亿美元（约合468.18亿元人民币），显示出华虹对特色工艺市场前景的积极判断。

无锡是华虹半导体的核心制造基地，目前运营着12英寸Fab 7产线，月产能为9.5万片；同时，二期项目Fab 9A正在建设中，规划月产能8.3万片。三期Fab 9B已于2026年3月动工，满产后预计为无锡基地新增约30%的月产能，将显著缓解国内功率半导体和特色模拟芯片的供应紧张局面。

华虹董事长白鹏在5月的业绩说明会上透露，美国出口管制对三期项目的设备采购“未产生任何影响”。与此同时，二期项目Fab 9A的工艺设备已于2026年6月底全部搬入，目前处于安装调试阶段，计划在第三季度末实现规划产能目标。

此次扩产基于华虹半导体产能持续满载的背景，旨在通过扩大12英寸特色工艺产能，巩固其在功率器件、模拟芯片等领域的市场地位，并满足下游新能源汽车、工业控制等领域的强劲需求。