据路透社援引知情人士消息，长江存储正筹划在武汉落地第四座闪存工厂。这座新厂将承担该公司最先进NAND芯片的生产任务，存储单元垂直堆叠层数预计超过300层，定位明显高于现有产线。

在设备采购策略上，长江存储为新工厂设定了国产化的量化目标：国产设备占比至少达到60%，并力争提升至70%。作为参照，其第三座工厂预计今年晚些时候投产，中国供应商提供的设备已占采购总量约50%以上，新厂目标较之进一步上移。

项目进度方面，新工厂预计于明年动工。不过知情人士透露，长江存储目前仅与供应商进行初步讨论，尚未正式下达订单，相关采购仍处于早期沟通阶段。

若国产化目标落地，北方华创、中微半导体等本土设备厂商有望从中受益。新增国产设备预计集中在晶圆清洗、抛光和刻蚀等常规工艺环节——中国企业目前已为长江存储供应大部分清洗和抛光设备，并在制造先进NAND芯片所需的深层垂直结构设备领域取得进展。