三星半导体在8月30日发布的内部访谈中透露，其V10 BV-NAND闪存技术不仅可支撑高达128TB的固态硬盘容量，还计划应用于未来的PCIe Gen7接口产品。这一消息来自该公司在FMS 2026峰会上的技术展示，标志着存储行业在高性能计算领域迈出重要一步。

V10 BV-NAND基于3D Bonded-VNAND架构，将存储单元与外围电路分别制造于两片晶圆，再通过晶圆键合工艺整合。其存储单元由三个高深宽比堆栈叠加而成，层数累计超过400层。这种设计允许外围电路独立优化，从而提升整体性能并降低功耗。

在技术细节上，V10 BV-NAND集成了多孔结构、零假孔、Pin-ODT、DFE、RDCA、低电压操作及电源隔离低抽头终端（PI-LTT）等多种先进技术。这些创新使得位密度提升58%，I/O速率提高33%，功耗降低25%，为下一代企业级存储解决方案奠定基础。

三星半导体表示，该技术将首先应用于大容量固态硬盘市场，满足数据中心和AI工作负载对存储带宽和能效的严苛要求。PCIe Gen7支持则进一步扩展了其在高性能计算领域的应用前景，预计将推动存储设备接口速率的新一轮升级。