High NA EUV光刻技术的商用化竞赛正在存储芯片领域升温。SK海力士在一份声明中明确，其目标是在2028年将High NA（高数值孔径）EUV光刻图案化工艺引入DRAM的大规模生产环节。这一时间节点与三星电子此前公布的计划高度重合。

围绕High NA EUV的产业协作也在同步推进。ASML于当地时间本月8日宣布，与台积电、三星电子、英特尔展开合作，共同推动High NA EUV生态系统向面积更大的12英寸掩膜（光罩）过渡。SK海力士方面表示，正在评估是否加入这一联盟。

三星电子在同日发布的新闻稿中确认，计划在2028年将High NA EUV技术用于先进DRAM内存的大规模生产。另一家存储大厂美光则曾透露，拟为第7代10nm级DRAM工艺1δ（1-delta）导入最新一代EUV光刻设备。

从三家企业披露的路线图来看，2028年正成为High NA EUV在DRAM领域落地的关键窗口。而12英寸掩膜生态的构建，将直接影响High NA EUV设备的导入节奏与量产成本，存储厂商在联盟层面的选择也因此受到关注。