据韩媒MONEYTODAY报道，三星电子晶圆代工业务正在评估新建4nm与2nm生产线的方案，目的是扩大这两个制程节点上的制造能力。推动这一扩产考量的核心因素，是HBM内存对先进基础裸片（Base Die）持续攀升的需求。

从三星自身的存储业务规划来看，HBM4(E)世代已确认将采用4nm Base Die，而下一代HBM5内存则计划升级至2nm Base Die。对于定制HBM产品，Base Die需要从主芯片卸载部分功能电路，这对制程工艺提出了更高要求，也进一步放大了先进节点的产能压力。

产能分配方面，此前已有消息指出三星晶圆代工已将半数4nm产能用于HBM4 Base Die的生产。随着存储器业务HBM4出货加速，4nm Base Die的需求预计还将继续走高。与此同时，NVIDIA Groq 3等AI芯片的持续扩产，也在同步消耗先进制程产能。

2nm节点同样面临多方面的产能需求。三星电子移动体验业务计划为更多Galaxy S/Z手机导入由系统LSI业务设计的Exynos处理器，这需要更大的2nm产能支撑；此外，三星晶圆代工还接获了特斯拉等重要客户的订单。多重需求叠加之下，扩产成为其代工业务需要权衡的选项。