高通第六代骁龙8超级至尊版实物曝光 采用侧置DRAM散热设计
摘要
高通第六代骁龙8超级至尊版(SM8975)实物图于9月6日曝光。该2nm芯片封装面积大于前代,创新地将DRAM从SoC顶部移至侧边并加入散热片,借鉴三星Exynos 2600的HPB技术思路,有望改善散热并提升性能稳定性。
一则来自芯片爆料领域的新动态引发行业关注。9月6日,消息源@LaidBackDev_在社交平台X上发布了一张高通第六代骁龙8超级至尊版(型号SM8975)的实物照片,这是该款2nm旗舰移动平台首次以实体形态出现在公众视野中。
从曝光的图片细节来看,这颗芯片的封装面积明显大于上一代骁龙8至尊版。值得注意的是,面积的增长并非来自计算单元规模的简单扩充,而是源于全新的散热结构设计。这一变化暗示高通在芯片架构布局上做出了针对性调整。
在传统PoP(封装堆叠)方案中,DRAM内存通常直接层叠于SoC上方,这种设计虽能节省主板空间,却导致内存与处理器产生的热量在狭小区域内集中堆积。而第六代骁龙8超级至尊版改变了这一路径,将DRAM移至SoC侧边,并引入独立的散热片结构。
该方案与三星在Exynos 2600芯片上采用的HPB(Heat Path Block,热传导模块)技术思路存在相似之处。HPB技术通过铜基散热块直接接触应用处理器,利用铜的高导热性将芯片热量快速引导至散热结构,从而降低核心温度。
科技媒体Wccftech分析认为,侧置DRAM配合散热片的组合,能够有效减少内存与SoC之间的热量相互干扰,使CPU和GPU在长时间高负载场景下维持更高的运行频率,从而改善设备的持续性能表现。目前,关于该芯片的更多量产信息及终端搭载情况仍有待官方进一步披露。
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