内存模组的下一代迭代已悄然进入前期筹备阶段。据韩媒THE ELEC报道，韩国PCB制造商TLB近期与两家现有内存制造商客户就SOCAMM3内存模组的设计和制造方案进行了早期磋商，但各方尚未敲定最终规格。TLB本身供应多种存储模组PCB产品，其现有产品线已覆盖SOCAMM类型产品，这为其参与新一代模组的早期开发提供了基础。

从时间表来看，SOCAMM3的量产预计要到2028年才会启动，并可能随NVIDIA的Rosa CPU一道进入市场。这意味着相关厂商当前的动作更多属于前瞻性布局，距离规模化出货仍有较长周期。

制造工艺层面的挑战是此次磋商的重点之一。据韩媒披露，SOCAMM2的PCB基板需要经过五次堆叠层压工艺，而SOCAMM3的堆叠层压次数还将进一步提升，这导致连接各层的微通孔加工难度显著增加。工艺复杂度的抬升，或将成为模组厂商在设计与良率控制上的关键变量。

对AI行业从业者而言，SOCAMM3的早期动向值得关注：一方面它指向2028年前后内存模组与CPU平台的协同演进节奏，另一方面堆叠层压与微通孔加工的技术门槛，也可能影响未来供应链的参与格局。目前各方尚未公布具体规格，后续进展仍有待观察。