据科技媒体《The Information》11月6日援引两名知情人士的消息，台积电正在评估进入先进内存芯片制造领域的可能性，目的是在持续扩张的AI硬件供应链中占据更大份额。这一动向的核心触发点来自其最大客户英伟达——台积电近期已应对方要求，着手规划一款名为“3D DRAM”的先进内存芯片的生产。

3D DRAM采用垂直堆叠存储单元的架构来提升容量，被业内视为满足AI算力对高带宽、高密度内存需求的重要技术方向之一。不过，台积电目前既未敲定量产时间表，也未最终确定产能的具体来源。知情人士称，公司正在权衡两条落地路径：一是兴建专用新厂，二是收购现有晶圆厂并改造为内存生产设施。

若上述计划最终推进，台积电的业务边界将从长期专注的晶圆代工与逻辑芯片制造，延伸至三星电子、SK海力士和美光长期主导的存储芯片市场。对英伟达来说，更靠近自身的先进内存供应来源，也有望在一定程度上缓解AI加速器所需高带宽内存的供给压力。

需要指出的是，该消息目前仍属市场传闻。台积电对此回应称“不评论市场传闻或揣测”，并强调公司始终专注于晶圆代工核心业务；英伟达方面则未回应置评请求。