瑞萨首发100V增强型GaN功率晶体管，瞄准AI数据中心与人形机器人

10月6日，瑞萨电子对外发布其首款低压氮化镓（GaN）功率半导体产品，正式切入宽禁带半导体功率器件赛道。此次推出的产品为100V增强型（E-mode）GaN分立功率晶体管系列，目标应用场景包括AI数据中心、人形机器人、工厂自动化以及工业电机驱动。

该系列共包含四款型号：RTP100E005G1FL、RTP100E2P6G1FL、RTP100E1P8G1FL-DSC和RTP100E1P2G1FL-DSC。据瑞萨公布的数据，新产品在硬开关和软开关优值（FOM）方面表现突出，相较同类GaN器件，硬开关FOM最高可降低35%，软开关FOM最高可降低63%。

在系统层面，该系列产品相比传统硅基设计，效率可提升1%至3%，同时消除了反向恢复电荷（Qrr）损耗，开关损耗大幅下降40%至70%。低压GaN器件延续了与硅器件兼容的封装尺寸，并提供多种标准MOSFET兼容封装，客户可从硅MOSFET布局快速迁移至GaN方案，无需对PCB进行大幅重新设计，从而降低导入门槛。

氮化镓作为宽禁带半导体材料，禁带宽度约为3.4电子伏特，远高于硅的约1.12电子伏特，临界击穿电场约为硅的10倍。GaN功率器件依托AlGaN/GaN异质结界面因极化效应形成的二维电子气（2DEG）导电，无需掺杂即可实现低电阻导电，因而具备更快的开关速度、更低的栅极电荷与输出电容。瑞萨此次产品落地，意味着低压GaN在AI算力基础设施与机器人等高密度电源场景中的商用化进程进一步提速。