韩媒ChosunBiz最新报道指出，SK海力士的1c nm DRAM工艺产能将在2027年初迎来关键转折点，届时该节点有望首次超越当前主力1b nm，成为公司内部应用最广泛的存储制程。这一时间点比业界此前预期更为明确，反映出SK海力士正加速向更先进节点迁移。

根据产能预测数据，从2026年第一季度至2027年第一季度，1c nm在SK海力士总DRAM产能中的占比将依次达到10%、13%、24%、34%和35%，呈现逐季攀升态势。与此同时，1b nm的占比预计在2027年初降至33%，与1c nm形成交叉，标志制程主导权的正式交接。

行业对比数据显示，三星电子与美光在2026年第二季度末的第六代10nm级DRAM产能占比预计分别为16%和19%，均低于SK海力士同期水平。这一差距凸显了SK海力士在先进DRAM节点上的激进布局，尤其是在高带宽内存（HBM）需求持续扩张的背景下。

值得关注的是，SK海力士目前量产的HBM4产品仍基于1b nm DRAM Die，而下一代HBM4E将转向1c nm工艺。提前扩充1c nm产能，不仅能够保证HBM4E的稳定供应，还能有效缓解从HBM4到HBM4E代际切换过程中的产能压力，为市场平稳过渡提供支撑。

分析人士认为，SK海力士此举意在巩固其在AI存储领域的领先地位。随着HBM市场竞争加剧，先进制程的提前量产将成为决定下一代产品竞争力的关键因素，而1c nm的产能爬坡速度将直接影响HBM4E的出货节奏与客户合作进度。