全球内存供应紧张背景下，存储芯片的制造成本结构正受到更多关注。韩国半导体分析机构Kernel Insight最新数据显示，1b DRAM晶圆每平方毫米成本为0.654美元（约合4.4元人民币），而台积电N2晶圆同期成本为0.424美元（约合2.8元人民币），前者较后者高出54%。

1b DRAM晶圆采用sub-10nm级工艺节点制造，代表存储单元特征尺寸进入10纳米以下区间，位密度约为每平方毫米0.436 Gb。该工艺主要服务于DDR5内存模组生产，覆盖台式机内存条（单条16GB至512GB）、笔记本SO-DIMM及板载LPDDR5/DDR5颗粒、服务器RDIMM与LRDIMM等ECC纠错模组（单条容量可达256GB，整机上限推至12TB），以及HBM3E等AI加速器专用显存的堆叠基座颗粒。

从制造流程看，DDR5的工艺路径与台积电N2节点存在显著差异。N2属于2纳米级先进制程，依赖多重曝光和极紫外光刻等复杂工序，而1b DRAM的制造流程相对简单。成本数据的对比由此呈现出存储芯片与逻辑芯片在制程演进上的不同逻辑。

当前全球内存短缺持续，1b DRAM作为DDR5及HBM3E供应链的关键环节，其成本溢价水平将直接影响内存模组定价与AI加速器的物料成本结构。