美国商务部于10月22日对外披露，计划依托《芯片与科学法案》下的半导体研发项目，向四家企业拨付总额最高3.89亿美元的研发资金。这笔资金将投向功率半导体器件及关键材料的开发，最终应用场景锁定核聚变发电、AI数据中心和电力基础设施三大方向。

根据美国国家标准与技术研究院（NIST）发布的信息，商务部已与四家企业签署资助意向书，但资助落地仍需走完后续程序。在四家受资助方中，核聚变能源企业Helion的拟获金额居首，达1.75亿美元，资金将用于高压功率半导体与先进能源功率模块的研发，直接服务于其核聚变发电系统。

其余三家企业的拟资助上限分别为：Commonwealth Fusion Systems获8500万美元，Vertical Semiconductor获7300万美元，Sibelco获5600万美元。其中，Commonwealth Fusion Systems的资金将覆盖半导体、电力电子设备、核聚变诊断系统嵌入式电子设备以及耐辐射电子器件的研发；Vertical Semiconductor则聚焦垂直氮化镓（GaN）功率半导体的推进。

从资金分配结构看，核聚变相关企业占据了两席且拿走了最大份额，反映出美国在先进能源与功率半导体交叉领域的布局意图。功率半导体是核聚变装置、数据中心供电和电网设备共同依赖的基础环节，此次资助将这一环节与前沿能源场景直接绑定。