基辛格押注Nagare Labs的Z2RAM技术,拟绕开EUV光刻,目标四年内送样
摘要
前英特尔CEO基辛格通过Playground Global领投500万美元种子轮,支持Nagare Labs研发Z2RAM存储技术。该技术采用氧化物半导体和标准后端工艺,无需EUV光刻,目标比特密度超SRAM五倍,计划四年内送样,目前仍处实验室原型阶段。
前英特尔首席执行官帕特·基辛格正将目光投向AI内存领域。通过其参与的风投机构Playground Global,他支持了内存初创公司Nagare Labs,后者正在开发名为Z2RAM的下一代存储技术。Nagare Labs近期完成了由Playground Global领投的500万美元种子轮融资,资金将用于推进这一面向AI计算的内存方案。
Z2RAM的核心目标是同时兼顾SRAM的速度与DRAM的密度,以缓解AI计算中日益突出的“内存墙”瓶颈。该技术由佐治亚理工学院研究者苏曼·达塔与于世萌创立的Nagare Labs研发,采用氧化物半导体材料,并计划通过3D混合键合方式直接集成在逻辑芯片上方。
在制造路径上,Z2RAM的显著特点是使用标准后端工艺(BEOL),无需极紫外光刻(EUV),可通过单次曝光形成多层存储结构。这有望在提升密度的同时降低制造复杂度与成本。与依赖电容存电荷的传统DRAM不同,Z2RAM采用基于晶体管的存储单元,支持非破坏性读取,从而有望降低访问延迟。
Nagare Labs还计划像NAND闪存那样垂直堆叠存储单元,初期实现方案的目标比特密度可达SRAM的5倍以上。不过,这项技术目前仍处于实验室原型阶段,公司正在寻找研发制造合作伙伴,以突破大学洁净室的产能限制。按照规划,Z2RAM拟在4年内送样。
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