据韩媒《首尔经济日报》8月28日报道，三星电子正在为英伟达开发一款定制HBM内存产品。该产品采用8层堆叠设计，引脚速率达到17-18Gbps，显著高于三星此前出样HBM4E的16Gbps。

报道称，这款定制产品在业内同时被提及为HBM4E和NVHBM。英伟达的表述显示，NVHBM与标准HBM4E在基础裸片设计上必然存在差异，而DRAM裸片是否相同尚待确认。

从技术角度看，8Hi低堆叠设计减少了DRAM裸片用量，有助于提升生产良率、降低制造成本并扩大出货规模。更高的引脚速率则能进一步缓解AI加速器面临的内存墙问题，提升实际数据处理吞吐量。

三星电子同时运营存储器和晶圆代工业务，具备全流程定制HBM开发能力，在基础裸片设计调整及与DRAM裸片适配方面具有天然优势。此前有消息称，英伟达已调整HBM4内存需求，提升8Hi低堆叠产品的占比。