美光于当地时间9月15日对外展示了其最新研发的512GB DDR5内存模组，这是全球首款达到该容量的DDR5产品。该模组基于3DS RDIMM架构，利用硅通孔（TSV）技术对DRAM Die进行垂直堆叠，从而在单一封装内实现更高的内存密度。

从系统层面看，单条512GB的容量意味着在双路服务器配置下，若采用24个内存插槽（12通道1DPC或6通道2DPC），整机内存总容量可达到12TB。这一规格对于需要处理大规模数据集和内存密集型任务的数据中心而言，具有显著的扩展意义。

性能与能效方面，该模组支持9200MT/s的传输速率。美光提供的数据显示，与使用4条128GB模组相比，单条512GB方案可节能超过60%，有助于降低大规模部署中的功耗成本。

美光预计，512GB DDR5-9200 3DS RDIMM将于2027年下半年进入量产阶段。目前，AMD和英特尔正在下一代服务器处理器平台上对该内存模组进行验证工作，以确保其兼容性与稳定性。