在昨日于台北举办的SEMICON Taiwan 2026国际半导体展IC论坛上，ASML High NA EUV产品管理资深副总裁Greet Storms对外披露了高数值孔径极紫外光刻技术的最新产业化进展。这是该技术从研发验证走向规模化量产过程中的一次关键数据更新，备受先进制程领域关注。

据ASML官方公布的数据，其High NA EUV机台自投入市场以来，累计完成的晶圆曝光量已突破135万片大关。目前，已有来自4家客户的10台High NA EUV系统处于正常运行状态，另有3台设备正在发货或安装流程中。这一数字较此前披露的阶段性成果有明显增长，表明该技术在客户端正加速落地。

在设备性能方面，ASML首代量产型High NA EUV光刻机TWINSCAN EXE:5200B已实现每小时处理135片晶圆的量产规格，公司规划后续将这一吞吐能力进一步提升至每小时180片以上。与此同时，High NA EUV光刻机的机队可用率当前已达到84%，ASML预计今年底这一指标将攀升至90%，并在此后继续向93%的目标迈进。

从技术路线图看，ASML指出High NA EUV的成像精度可满足未来最多5个2D DRAM制程节点的工艺需求。此外，该技术在先进逻辑芯片制造中有望压缩互连层的金属层总数，从而为降低制程复杂度和优化生产成本提供新的可能性。这些特性使得High NA EUV被视为继现有EUV技术之后，支撑半导体微缩持续演进的重要基础设施。

随着首批客户系统的稳定运行以及产能指标的持续爬坡，High NA EUV正在从早期的风险量产阶段逐步过渡到实质性的大规模应用周期。对于依赖先进制程的芯片制造商而言，该技术的成熟度将直接影响其下一代产品路线图的推进节奏。