9月14日，杭州镓仁半导体有限公司对外宣布，该公司依托自主研发的SCIENCE系列VB法长晶设备，在全球范围内首次实现了12英寸氧化镓晶体的等径生长。这一进展标志着氧化镓晶体在产业化道路上迈出了重要一步。

等径生长是晶体从实验室走向规模化生产的关键环节。只有当晶锭形成直径恒定的等径段，才能获得连续稳定、可直接用于切磨加工的有效部分。等径段越厚，单根晶锭可切割出的合格衬底片数量就越多，单片衬底的成本也随之下降。此外，12英寸氧化镓衬底与主流硅产线兼容度较高，有助于降低下游企业的设备投资和产线切换成本，缩短研发周期。

值得关注的是，今年3月，镓仁半导体已实现全球首次8英寸氧化镓同质外延生长，相关成果通过了国内外第三方机构的权威认证。据官方介绍，其自研的SCIENCE系列VB法长晶设备温控精度达到±0.1℃，具备“设备+工艺包”一体化能力，并实现了从2英寸到12英寸晶体的快速迭代。