ASML与光学系统合作伙伴蔡司（ZEISS）于10月1日联合发布文章，披露了下一代Hyper NA EUV光刻机的技术路线。文章指出，数值孔径（NA）不低于0.75的Hyper NA EUV系统有望支持5nm半间距的光学分辨率，预计面世时间在10年左右。

从技术路径看，延续13.5nm波长并将数值孔径从现有High NA EUV水平提升至0.75，被双方视为合理的演进方向。文章分析认为，Hyper NA EUV面临的核心挑战集中在可用景深进一步降低，这要求采用更薄的光刻胶，同时在扫描设备的聚焦控制、晶圆平整度以及工艺控制等环节同步改进。

在系统集成层面，0.75 NA光学系统的体积仅会略大于现有High NA EUV设备，洁净室适配性和设备兼容性较好。若将数值孔径继续推高至0.85，系统体积将大幅增长，反而削弱其工程吸引力。此外，通过光学与机械层面的改进，配套掩膜基础无需重大改动即可在Hyper NA EUV上复用，光源系统预计同样可实现复用。

上述判断来自ASML与蔡司联合发表的技术文章，相关细节已刊载于《微纳图形材料与计量学杂志》。对于AI芯片制造而言，Hyper NA EUV若按预期落地，将为5nm半间距节点提供新的光刻选项，但其景深瓶颈能否通过材料与设备协同解决，仍是未来十年需要持续验证的工程课题。