三星电子在HBM制造模式上作出关键让步。据首尔经济日报10月18日报道，这家韩国存储厂商将把英伟达下一代定制高带宽内存（NVHBM）的基底裸片（base die）交由台积电代工，采用后者3纳米工艺生产。此前，三星供应的所有HBM产品中，承担数据存储的核心裸片（core die）与充当系统半导体的基底裸片均由三星自行制造，此次调整意味着其一站式全包模式在高端定制产品线上被打破。

这一变化的直接推动力来自英伟达。业内消息人士称，英伟达已向三星电子、SK海力士（000660.KS）和美光三家NVHBM供应商提出统一要求：基底裸片采用台积电3纳米工艺，核心裸片则统一使用代号1c的第六代DRAM工艺。NVHBM基于第七代下一代HBM标准HBM4E架构开发，是英伟达今年8月发布的定制版高带宽内存产品。

英伟达之所以介入制造环节，原因在于各供应商的HBM方案存在差异，难以基于同一套设计实现稳定一致的性能；统一工艺标准也能减少针对每家供应商单独开展产品验证的工作量。报道显示，负责三星晶圆代工业务的设备解决方案事业部经内部评估后，决定接受上述要求。

值得注意的是，三星并未全面放弃自产策略。报道指出，对于标准HBM产品，三星仍将保留一站式全包生产模式。在产品进度上，三星今年已在全球率先量产第六代HBM4，第七代HBM4E正处于量产验证阶段。此次基底裸片代工归属的调整，将首先作用于面向英伟达的定制产品线。