据韩媒THE ELEC当地时间9月14日报道，三星电机正与高通展开合作，共同开发面向AI半导体芯片的2.1D先进封装技术。双方在这一异构集成平台上已进行超过一年的研发与认证工作，显示出该合作已进入较为深入的阶段。

技术路线上，两家企业采用的2.1D封装使用嵌入式有机桥片。其设计思路与英特尔的EMIB相似，但关键区别在于以成本更低的有机材料取代EMIB中的硅桥片。这一选择带来双重收益：一方面可降低制造成本，另一方面也能规避英特尔所持有的EMIB相关专利。

三星电机尝试的有机桥片，本质上可视为通过RDL（重布线层）工艺形成5~7层微电路的小型衬底。其目标规格包括1.5~2μm的线宽/间距、4~5μm的通孔尺寸，以及500~1000/mm的图案密度。相比传统FC-BGA的堆叠式电路，有机桥片能够实现更精细的布线，从而带来更高的I/O带宽。

从行业角度看，AI芯片对高带宽、高密度互连的需求持续攀升，先进封装正成为竞争焦点。三星电机与高通的这一合作，若能在成本与性能之间取得平衡，或将为AI半导体封装提供一条区别于英特尔EMIB的替代路径。