何庭波披露麒麟2026实测数据 晶体管密度提升55%
华为工程师何庭波在最新论文中公开麒麟2026芯片实测数据,其晶体管密度达2.38亿/平方毫米,较上代提升55%。该芯片采用逻辑折叠技术实现3D堆叠,以1.5μm键合节距和5000万根垂直互连破解散热难题,为受限条件下的芯片迭代开辟新路径。
华为芯片设计团队近日在ChinaXiv平台发布预印本论文,首次系统披露了自研τ(韬)定律的技术细节,并公布了麒麟2026芯片的实测数据。这项研究回应了业界关于3D堆叠必然导致过热的技术质疑,给出了基于实际量产的实证答案。
在外部环境限制下,华为无法沿用传统EUV光刻路径推进制程微缩。论文指出,团队选择跳出依赖晶体管几何尺寸缩小的摩尔定律框架,转而构建τ缩放定律——核心思路不再是缩小器件尺寸,而是压缩信号在芯片内部传输的特征延迟参数τ。这一理论落地的关键技术被称为逻辑折叠(LogicFolding)。
逻辑折叠技术依托3D混合键合工艺,将原本平面的电路拆解为多层垂直堆叠的硅片裸片,通过微米级垂直互连桥接各层,把芯片内长距离水平走线替换为短路径垂直跳转。与常规封装层面的键合不同,华为将混合键合定位为晶圆级器件制造工序,这使得互连密度和电气性能获得显著提升。
实测数据显示,麒麟2026作为首款应用逻辑折叠的移动SoC,实现了1.5μm键合节距,集成5000万根垂直互连,晶体管密度从上一代的1.55亿/平方毫米跃升至2.38亿/平方毫米,单代增幅达55%。论文同时透露,下一代麒麟2027已达成1μm键合节距,垂直互连数量突破1亿根。
根据论文披露的路线图,华为计划在三年内将顶层金属节距推进至720nm,并维持亿级以上的垂直互连规模。这一技术方向为先进制程受限背景下的高性能芯片设计提供了可验证的替代方案,其后续迭代效果值得行业持续跟踪。