英飞凌于10月27日公布一项产能扩张计划：将在欧洲打造全球首座以300mm（12英寸）晶圆大规模量产氮化镓（GaN）功率半导体的工厂。该布局指向GaN功率器件从中小尺寸产线向大尺寸量产平台的迁移。

项目落地于英飞凌位于奥地利Villach的现有基地。公司计划在2034年前投入约11亿欧元，用于对该基地洁净室设施进行升级改造，新产线预计2027年底进入投产阶段。

选择12英寸晶圆的核心逻辑在于产出效率：单片12英寸晶圆的芯片产出可达8英寸晶圆的2.3倍，更大面积的原料也有助于生产工艺改进与效率提升。

资金层面，欧盟委员会已批准向Villach扩产计划提供3.19亿欧元国家援助，奥地利经济部门预计将在规定期限内正式履行这项资金承诺。

此前英飞凌曾披露其12英寸氮化镓可扩展生产已步入正轨，首批样品计划于2025年四季度交付，此次量产厂规划将该技术路线进一步推向规模化阶段。