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比亚迪半导体发布V-305B车规级SiC模块,系统杂散电感降至10nH以下

摘要

比亚迪半导体推出新一代车规级1000V SiC功率模块V-305B,采用DC叠层端子与激光焊接工艺,将系统杂散电感压缩至10nH内,功率密度提升15%。该模块阻断电压超1500V,输出电流达650Arms以上,开关尖峰电压和损耗均下降30%,瞄准1000V高压平台电驱与快充场景。

9月3日,比亚迪半导体对外披露了其最新一代车规级功率模块V-305B的技术细节。该模块基于1000V碳化硅(SiC)平台设计,核心卖点在于通过结构创新显著压低系统杂散电感,为高压电驱系统提供更优的开关特性。官方数据显示,其功率密度较传统方案提升15%。

随着新能源汽车向1000V全域高压平台演进,传统SiC模块因杂散电感偏高、功率密度受限等问题逐渐成为系统效率提升的瓶颈。V-305B模块的推出直指这一短板:其自身寄生电感低至5.5nH,匹配外围电路后,整机系统杂散电感可控制在10nH以内,而传统模块的典型值通常在20nH以上。

更低的杂散电感直接转化为性能收益。据比亚迪半导体介绍,相比传统方案,V-305B可将开关尖峰电压削减30%,开关损耗同步下降30%。在1000V工况下,该模块输出电流可达650Arms以上,能够覆盖大功率电驱与快充场景的需求。此外,其阻断电压大于1500V,为高压平台应用预留了充足的电压裕量。

工艺层面,V-305B采用DC正负极叠层引出设计,将功率回路面积压缩至最小;芯片到端子的连接以激光焊接替代传统键合线,显著降低接触阻抗并缩短路径。可靠性方面,模块选用双面银烧结工艺以降低热阻,基板采用氮化硅AMB材料以增强导热与冷热冲击耐受性,散热底板采用椭圆分段结构以平衡散热面积与流阻,外框与基板通过超声焊接提升抗振能力,灌封硅凝胶的玻璃化转变温度达到200℃,内部驱动回路则采用对称布局以保障均流特性。

该模块的发布标志着车规级SiC功率器件在杂散电感控制上迈入新台阶,为高压平台电驱系统的效率与可靠性提供了更具竞争力的元器件选择。

比亚迪半导体SiC功率模块车规级杂散电感
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