据韩国媒体报道，三星电子旗下晶圆代工部门正在调整其先进制程的产能布局，计划将约一半的4纳米工艺产线用于HBM4内存的基础裸片生产。这一决策反映出高带宽内存市场对定制化逻辑需求的快速增长，以及三星在存储与代工业务间协同策略的深化。

在HBM4的制造流程中，基础裸片扮演着连接逻辑与存储堆栈的关键角色。三星采用内部代号为SF4的4纳米工艺来生产这部分芯片。据悉，客户正要求在基础裸片中集成内存控制器、物理层接口等定制逻辑电路，以此减少主计算芯片上相关组件的占用面积，从而提升整体系统性能。

目前，三星的SF4产线主要分布在平泽园区的P2和P3工厂，涉及S5和S6两条生产线。随着外部ASIC设计订单和HBM4基础裸片需求的同步增长，三星需要在产能分配上做出平衡。对于追求极致性能的ASIC客户而言，HBM4基础裸片的定制化能力正成为影响其选择代工厂的关键因素。

市场数据揭示了这一策略的成效。2026年第二季度，三星按营收计算的HBM市场份额已达到38%，较去年同期的15%显著提升。与此同时，主要竞争对手SK海力士的份额则从64%下滑至50%。三星在HBM领域的竞争力增强，部分归因于其将晶圆代工能力与存储技术相结合，为客户提供更完整的解决方案。

分析人士指出，随着HBM4及后续HBM4E标准的推进，基础裸片的定制化需求将进一步扩大。三星此次产能倾斜举措，既是对现有客户需求的响应，也是其在高端存储市场巩固地位的战略布局。未来，这一领域的竞争将更加依赖于先进制程与存储技术的深度融合能力。