长鑫科技在10月30日举行的第三季度业绩交流会上披露了其DRAM技术路线的最新进展：第五代工艺技术平台已进入量产阶段，第六代工艺技术平台则在4F²垂直沟道DRAM架构取得关键突破的基础上完成工程样片验证，LPDDR6产品也已实现量产。

作为长鑫当前量产的最先进平台，第五代工艺技术平台已推出245Ball和496Ball封装的LPDDR5X产品。公司表示，后续将依托该平台逐步升级DDR5、LPDDR6等现有产品线，持续提升性能并丰富产品组合。从产出效率看，第五代平台每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少50%，在能效与成本控制方面均具备明显优势，这一结果主要得益于该平台在多项关键工艺维度上实现的技术突破，从而降低功耗、提升接口速度，为LPDDR6的大规模量产与商业化应用提供平台支撑。

在更前沿的技术布局上，长鑫基于第六代工艺平台开发的4F²架构通过更紧凑的布局显著缩小存储单元面积、提高单位面积存储密度，为后续工艺平台迭代奠定基础，也是公司面向下一代前瞻技术的重要落子。

按照公司给出的时间表，采用4F²架构的首代DDR5 RDIMM产品预计于今年年底送样。