中微公司10月22日对外披露，其气相高选择性刻蚀设备Primo Domingo的全球首台机已交付国内一家重要集成电路研发制造客户。该设备面向GAA晶体管、3D NAND与3D DRAM等下一代三维器件的工艺开发，中微公司表示，这一交付填补了国内在下一代3D半导体器件制造中关键刻蚀工艺的自主化空白。

需要指出的是，Primo Domingo并非首次公开。中微公司今年3月已发布该产品，本次首台付运意味着设备从产品发布阶段转入客户端的实际验证环节，后续工艺表现有待在真实产线环境中检验。

从技术背景看，芯片架构由平面转向三维，是当前先进制程与存储技术继续缩微的主要路径。GAA晶体管需在纳米尺度沟道周围形成栅极包裹，3D NAND依靠层数堆叠提升容量，3D DRAM则试图以垂直结构突破平面电容的面积限制。这些结构的共同工艺难点在于：必须在极小空间内精准去除特定材料，同时几乎不损伤相邻结构。高选择性刻蚀处理的正是“去除什么”与“保留什么”的取舍，其选择比高低直接关系到三维器件能否在良率可控的前提下实现制造。

在设备设计上，Primo Domingo围绕均匀性与稳定性展开。其采用全对称腔体结构与优化流场设计，将气体注入、温度控制和压力调控进行系统整合；集成气柜缩短了气体注入距离，以支持更快的脉冲气体精密控制。针对高活性刻蚀气体对设备的腐蚀问题，中微公司配置了高抗腐蚀管路与特殊涂层材料，晶圆基座则采用双制冷设计。