全球存储芯片格局或再添变量。据路透社援引三位知情人士消息，长鑫存储正筹备进入闪存市场，计划在位于北京的新建工厂内搭建一条NAND闪存研发生产线，同时已在北京设立研发机构，相关项目涵盖NAND技术开发。这意味着这家以DRAM见长的中国存储厂商，开始将触角伸向另一大核心存储品类。

从客户侧看，长鑫存储已围绕NAND业务规划与潜在客户展开接触，其中包含一家新成立的初创企业。该企业计划采购长鑫的NAND芯片，用于人工智能系统及超级计算机所需存储产品的研发与部署。这一动向显示，长鑫的NAND布局并非停留在实验室阶段，而是同步推进商业化路径的探索。

长鑫此时切入闪存赛道，面对的是一个高度集中的市场。TrendForce集邦咨询数据显示，按营收口径计算，2026年第二季度三星电子以29.3%的份额位居全球闪存市场首位，SK海力士排名第二，美光紧随其后。三家海外原厂长期把持主要份额，新进入者需要在技术、产能与客户认证上跨越不低的门槛。

值得注意的是，长鑫在DRAM领域的增长势头为其提供了底气。2026年第二季度，长鑫DRAM营收达到146.24亿美元（约合983亿元人民币），环比增幅高达99.3%，市占率从第一季度的7.6%提升至9.5%，逼近10%关口。若NAND业务按计划推进，长鑫将在存储双主线业务上与三星、SK海力士、美光形成更直接的竞争关系。