9月28日晚间，长鑫科技发布公告，披露了使用部分超募资金投资建设新项目的计划。根据公告，公司将投入超募资金130亿元用于新建技术研发项目，同时通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司提供50亿元超募资金，用于投资新建存储器晶圆后道测试基地二期项目。

具体来看，技术研发项目总投资金额为241亿元，建设周期30个月，主要聚焦于技术研发。而存储器晶圆后道测试基地二期项目总投资108亿元，建设周期37个月，计划建设一座测试工厂，为DRAM存储芯片提供测试以及模组组装服务。

长鑫科技在公告中解释了此次投资的背景：测试是DRAM生产中不可或缺的关键环节，但因其测试的专用设备特性，随着公司产能不断提升、产品种类增多，可能面临外部封测厂测试产能不足和新增投资配套不足的问题。为了保障测试产能不成为公司产能制约瓶颈并保障供应链安全，公司急需增加自建测试产能的投入。

公司进一步指出，通过自建存储器晶圆后道测试和模组项目，能够更灵活协调测试产能利用，降低公司DRAM芯片测试成本，提升公司运营效率和测试技术，有利于公司进一步完善IDM模式、增强公司的整体竞争力。此次投资也反映出长鑫科技在DRAM领域持续深化垂直整合的战略意图。