美光闪迪赴韩抢人,三星加码股权激励守擂存储人才战
摘要
据Asia Today报道,美光、闪迪相继在首尔招募HBM与NAND核心研发人才,三星电子则通过提高绩效奖金、扩大股权奖励应对挖角。随着AI数据中心需求推高存储芯片热度,全球存储巨头围绕韩国半导体人才的争夺日趋白热化。
半导体行业的竞争焦点正在发生位移。据Asia Today报道,存储芯片巨头之间的角力已从产能与制程延伸至人才层面,能否锁定足够数量、足以左右技术代差的核心工程师,被视为决定下一代存储器市场格局的关键变量。
作为韩国本土的存储龙头,三星电子正面临来自海外对手的直接挖角压力。报道称,该公司已着手通过提高绩效奖金、扩大股权奖励来稳固核心团队。今年上半年,三星员工总数较去年略有下降,但薪酬总额与账面薪酬成本等指标不降反升。此外,三星还计划向半导体业务所属的设备解决方案(DS)部门追加发放与业绩挂钩的股权奖励,此举预计将进一步推高其人力成本。
海外企业的动作同样密集。美国NAND闪存厂商闪迪近期在首尔持续招聘NAND系统架构、核心设计及固态硬盘(SSD)固件等方向的研发人员;更早之前,美光也已开设首尔办公岗位,招募HBM设计资深工程师。两家公司均将韩国视为获取核心研发人才的重要市场——这里聚集了以三星电子、SK海力士为中心的DRAM、NAND设计与工艺专业人才。
这一轮人才争夺的背后,是AI数据中心投资扩张带来的需求共振。HBM、高性能NAND闪存以及企业级SSD的市场需求同步走高,使得全球存储企业对关键技术人才的争夺愈发激烈。报道还提到,美光今年已面向中国台湾地区员工推出高额激励措施,全球半导体工程师的薪酬水平正随竞争升温而水涨船高。
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